在空间技术中所用的电能，由半导体光电池供给。这种半导体电源能长时间供电，而且简单、轻便、可靠。在光电转换技术中，也常用这种电池作传感器。
  半导体受到光的照射而产生电动势的现象，称为光生伏特效应。硅光电池是根据光生伏特效应的原理做成的半导体光电转换器件。 

图-1硅光电池结构示意图

硅光电池的结构如图-1所示。在一块N型硅片上用扩散方法掺入一很薄的P型层，形成P-N结，在P型层引出正极引线，在N型层引出负极引线即成。其形状有圆盘形、长方形等各种形状。本实验用的是圆盘形硅光电池。 

当光照射到P型层的外表面时，光可透过P区进入N区，照射到P-N结。当光子的能量大于硅的禁带宽度时，光子能量便被硅晶格所吸收，价带电子受激跃迁到导带，形成自由电子，而价带则形成自由空穴，使得P-N结两边产生电子-空穴对，如图-2所示。凡是扩散到P-N结部分形成的内电场的电子-空穴对，都要受到内电场E的作用，电子被推向N区，空穴被推向P区，从而产生P为正N为负的电动势。若接入一负载，只要有光不断照射，电路中就有持续电流通过，从而实现了光电转换。

图-2 光生伏特示意图